1 前言
2 数字IC设计流程
2.1 集成电路产业链：
| 集成电路设计公司（IC Design House） | 晶圆厂（fab） | 封测厂（Packaging&Testing） | 组装厂（Assembing） | 成品整机 |
|---|---|---|---|---|
| 算法，架构，前端，后端，仿真，流程，IP…… | 提供设计资源与技术支持，晶圆制造 | 晶圆切割，载板采购，硅片贴装，注塑，芯片成型，测试，包装…… | 辅料采购，PCBA焊接，测试，整机组装，整机测试，老化测试…… | |
| APPLE，高通，华为…… | 台积电，三星，中芯国际…… | 富士通，日月光…… |
国内著名的IC设计厂商：
2.2 常见SoC芯片架构图
其中：
- CPU、DMA、还有一些通信接口等等做过单片机或者嵌入式的都知道；
- Ext SRAM：接口IP，外部可以连接SRAM存储器，用于程序的运行；
- Nand Flash Controller：接口IP，外接Nand Flash；
- SD Controller：接口IP，外接SD卡；
- SD Host：master接口，外接SD slave设备；
- AHB Pflash：片内存储体，Programming Flash存储体，类似PC系统盘；
- AHB SRAM：片内运存，类似PC内存；
- AHB-Brige-APB：AMBA2.0总线协议；
- System Controller：用于产生系统时钟和复位信号。
2.3 数字IC设计流程
| 确定项目需求 | 系统级设计 | 前端设计 | 后端设计 |
|---|---|---|---|
| 指定芯片具体指标 | 用系统建模语言对各个模块描述 | RTL设计、仿真、硬件原型验证、电路综合 | 版图设计、物理验证、后仿真等 |
具体流程：
2.4 数字IC设计指标
| 物理指标 | 性能指标 | 功能指标 |
|---|---|---|
| 制作工艺、裸片面积、封装 | 速度、功耗 | 接口描述、接口定义 |
2.4 数字IC前端设计流程
3 数字电路基础
3.1 逻辑门
逻辑门国外流行符号：
3.2 CMOS器件
CMOS器件的符号，右邊是简化图：
其中PMOS的G极为低时导通，NMOS相反。PMOS衬底接电源，NMOS衬底接地。
使用MOS管搭建反相器：
使用MOS管搭建三态非门：
使用MOS管搭建三态缓冲门：
使用MOS管搭建三态传输门：
将逻辑表达式转变为MOS电路的思路就是将有或的表达式都变成与和非，然后通过MOS与非门和MOS或非门以及MOS非门搭建出来。
例如：
Y = A · B + C
可以写成：
Y = ( (A · B)’ · C’ )’
(A · B)’用一個二輸入的与非门实现，C’用一个非门实现，最后把这两个结果用一个二输入的与非门得到Y。
而且与非门比或非门速度快。因为电子迁移率是空穴的2.5倍，而PMOS采用空穴导电，NMOS采用电子导电，所以相同尺寸下，PMOS充电时间长，比较最长路径的延时，与非门是两个PMOS并联，或非门是两个NMOS并联，因此与非门的速度更快。
另外，PMOS传输强1弱0，NMOS传输强0弱1，所以PMOS要负责输出1，NMOS负责输出0。如果反过来的话输出电压不能达到满摆幅，而且会向后影响，最终无法区分0或1。
3.3 OC、OD门
集电极开路门（OC）因为负责输出的三极管的集电极啥都不接，所以叫集电极开路门。电路符号如图左侧所示：
漏极开路门（OD）与OC门类似。将三极管换成场效应管，
线与逻辑是两个或多个输出信号相连可以实现与的功能。在硬件上，要用 OC 门来实现（漏极或者集电极开路），为了防止因灌电流过大而烧坏OC门，应在OC门输出端接一上拉电阻（线或则是下拉电阻），如上图右侧。
3.4 数字电路功耗
在RTL编码中考虑的功耗：
其中：
- Pd：电路个点的功耗总和。
- a：电路翻转次数；
- f：电路的工作频率；
- C：该点的电容；
- V：电压值。
其中负载电容和和工作电压是RTL设计无法改变的因素，在RTL级主要考虑尽量降低电路的翻转频率。
主要措施：
- 门控时钟；
- 增加使能信号，是的部分电路只有在需要工作时才工作；
- 对芯片的各个模块进行控制，在需要工作时才工作；
- 除了有用信号和时钟翻转会消耗功耗，组合逻辑产生的毛刺也会大量消耗功耗。但是，毛刺在设计中无法避免，因此只有尽量减少毛刺在电路中的传播，才可以减少功耗。即在设计中，尽量把产生毛刺的电路放在传播路径的最后，另外，可以使用一些减少毛刺的技术。
- 对于有限状态机，可以通过低功耗编码（减少每次翻转的位数）来减少电路的翻转。
CMOS反相器的功耗：
P = P_dynamic + P_static
其中：
P_dynamic = P_short + P_switch
P_static = P_leakage
其中:
- P_switch：电路翻转产生的动态功耗；
- P_short：P管和N管同时导通时的短路功耗，在“0”和“1”转换的过程中，P、N管会同时导通，产生一个由Vdd到Vss的窄脉冲电流，由此引起功耗；
- P_leakage：反偏PN结电流和MOS管的亚阈值电流引起的静态功耗。
告辞
